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論文

Vortex phase diagram in Bi$$_{2}$$Sr$$_{2}$$CaCu$$_{2}$$O$$_{8+delta}$$ with damage tracks created by 30 MeV fullerene irradiation

石川 法人; Van der Beek, C. J.*; Dunlop, A.*; Jaskierowicz, G.*; Li, M.*; Kes, P. H.*; Della-Negra, S.*

Journal of the Physical Society of Japan, 73(10), p.2813 - 2821, 2004/10

https://doi.org/10.1143/JPSJ.73.2813
 被引用回数：2 パーセンタイル：19.84(Physics, Multidisciplinary)

30MeV C$$_{60}$$フラーレンビームをBi$$_{2}$$Sr$$_{2}$$CaCu$$_{2}$$O$$_{8+delta}$$単結晶試料に照射し、試料表面200nmの深さまで20nm直径のトラックを形成した。照射により、臨界電流密度の向上を見いだした。照射された試料は、未照射試料の特徴である磁束液体-固体相転移と単原子イオン照射された試料だけの特徴であるBose Glass転移の両方の特徴を併せ持つ特異な磁束相図を示すことがわかった。

論文

Magnetocaloric effects in YBa$$_{2}$$Cu$$_{3}$$O$$_{7-delta}$$; Evidence for a surface barrier

渡辺 光男; 岩田 忠夫

Physical Review Letters, 72(21), p.3429 - 3432, 1994/05

https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.72.3429
 被引用回数：4 パーセンタイル：44.18(Physics, Multidisciplinary)

高温超伝導体YBa$$_{2}$$Cu$$_{3}$$O$$_{7-delta}$$において大きな磁気熱量効果を発見した。それは、0~10テスラの範囲の外部磁場(H)の増加時及び減少時に、量子磁束線の侵入及び排出に伴って断続的に熱が発生する、即ちパルス状の熱発生($$Delta$$Q)がほぼ一定の磁場間隔($$Delta$$H)で繰り返し起こる、というものである。この結果は、de Gennesらが理論的に予言していた、量子磁束線の侵入及び排出に対する表面バリアの存在を直接証明するものである。更に、$$Delta$$Q=-M $$Delta$$H(Mは磁化)の関係が存在し、発生熱量が量子磁束線の運動によってなされた仕事に相当すること、また$$Delta$$Hが30K以下で温度によらずほぼ一定であること、従って量子磁束線は、熱活性化によるのではなく、トンネル効果によって表面バリアを透過する可能性が大きいこと、などを明らかにした。

論文

Ion irradiation effects in EuBa$$_{2}$$Cu$$_{3}$$O$$_{y}$$ thin film

石川 法人; 岩瀬 彰宏; 岩田 忠夫; 前田 裕司; 鶴 浩二*; 道上 修*

J. Supercond., 7(1), p.241 - 242, 1994/00

C軸配向したEuBa$$_{2}$$Cu$$_{3}$$O$$_{y}$$超伝導薄膜について、ピニング機構のHeイオン照射効果を調べた。ピニングの強さを表わす磁束の活性化エネルギーを磁場中抵抗の温度依存性から見積った。flux creep modelが成り立つと考えられる低抵抗領域における活性化エネルギーは、Heイオンの照射量の増加にしたがって減少し、ピニング特性が劣化することが分かった。さらに我々は、臨界電流密度の照射量依存性を測定し、それがT$$_{c}$$の殆ど変化しない低照射量領域(~10$$^{14}$$cm$$^{-2}$$)ですでに減少し、Heイオン照射による点状欠陥がピニングセンターとして機能しない、という結論を得た。

論文

Growth of large isometric YBa$$_{2}$$Cu$$_{3}$$O$$_{x}$$ single crystals from coexisting region of solid with melt in Y$$_{2}$$O$$_{3}$$ crucibles

朝岡 秀人; 武居 文彦*; 家 泰弘*; 田村 雅史*; 木下 實*; 竹屋 浩幸*

Japanese Journal of Applied Physics, 32(3A), p.1091 - 1096, 1993/03

https://doi.org/10.1143/JJAP.32.1091
 被引用回数：54 パーセンタイル：90.26(Physics, Applied)

YBa$$_{2}$$Cu$$_{3}$$O$$_{x}$$単結晶をBaCuO$$_{3}$$-CuO過剰領域で育成した。従来一様な融体部からの結晶成長が試みられてきたが、このたび包晶反応を伴う固液共存領域からの単結晶育成を行なった。得られた単結晶は最大C軸方向に7mm、光沢のあるフラットな面で囲まれた多面体を呈しており、C軸方向の充十分な成長が得られた。酸素アニールの後、各方位における抵抗率-温度特性を測定した結果、金属的ふるまいの後91Kにおいてシャープな超伝導転移が観測された。また、磁化率-温度特性を測定した結果、91Kにおいてシャープな超伝導転移ならびに十分大きなシールディング効果が観測された。

報告書

The Transverse stress effect on the critical current of jelly-roll multifilamentary Nb$$_{3}$$Al wires

D.Zeritis*

JAERI-M 90-014, 56 Pages, 1990/02

JAERI-M-90-014.pdf:1.49MB

ジェリー・ロール型多芯Nb$$_{3}$$Al導体の臨界電流値への縦圧縮効果を、8Tから15Tの磁界において研究を行った。また、比較のためブロンズ法により製作された多芯Nb$$_{3}$$Sn導体についても測定を行った。本研究におけるサンプルは、Nb$$_{3}$$Al2種類、Nb$$_{3}$$Sn2種類、合計4種類である。結果は、予想されたように、Nb$$_{3}$$Alの方が、100MPa以上の縦圧力に対して臨界電流値の劣化が少ないという優れた特性を有することが示された。しかしながら、現在のところ、高磁界における臨界電流密度はNb$$_{3}$$Snの方がNb$$_{3}$$Alより大きい。そこで、今後の開発においてNb$$_{3}$$Alの臨界電流密度の改良が要求される。以上の結果より、将来、Nb$$_{3}$$Alは核融合のような大型でかつ高磁界への応用に対して有効な超電導材料となることが期待できる。

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